4.1. Phân loại transitor hiệu ứng trường
4.2. Cấu trúc vật lý, nguyên lý hoạt động của MOSFET
4.2.1. Cấu trúc vật lý của MOSFETs kênh n
4.2.2. Nguyên lý hoạt động của MOSFET kênh n
4.2.2.1. Hoạt động của MOSFET kênh n khi chưa có điện áp cực cổng
4.2.2.2. Tạo kênh dẫn cho MOSFET kênh n
4.2.2.3. Đặt điện áp vDS  nhỏ
4.2.2.4. Hoạt động khi vDS tăng
4.2.2.5. Hoạt động khi vDS =VOV: Hiện tượng thắt kênh và bão hòa
4.2.3. Transistor MOSFET kênh p
4.3. Đặc tuyến dòng điện – điện áp (đặc tuyến A-V)
4.3.1. Ký hiệu và quy ước
4.3.2. Họ đặc tuyến iD - vDS
4.3.3. Đặc tuyến iD - vGS
4.3.4. Trở kháng đầu ra hữu hạn trong vùng bão hòa
4.3.5. Các đặc tuyến của MOSFET kênh p
4.4. Các mạch phân cực một chiều cho mạch khuếch đại dùng MOSFET
4.4.1. Đặc tuyến truyền đạt (The Voltage-Transfer Characteristic - VTC)
4.4.2. Xác định đặc tuyến truyền đạt bằng cách phân tích đồ thị
4.4.3. Phân cực cho MOSFET để đạt được bộ khuếch đại tuyến tính
4.4.4. Hệ số khuếch đại tín hiệu nhỏ
4.4.5. Phân cực bằng điện áp VGS cố định
4.4.6. Phân cực bằng cách cố định VG và nối điện trở ở cực nguồn
4.4.7. Phân cực sử dụng điện trở hồi tiếp D-G
4.4.8. Phân cực sử dụng nguồn dòng điện không đổi
4.5. MOSFET hoạt động ở chế độ khuếch đại
4.5.1. Điểm phân cực một chiều DC
4.5.2. Tín hiệu dòng điện cực máng
4.5.3. Độ hỗ dẫn gm
4.5.4. Hệ số khuếch đại điện áp
4.5.5. Mô hình kết hợp dạng
4.5.6. Mô hình dạng T
4.5.7. Tổng kết
4.6. Các mạch khuếch đại MOS đơn tầng
4.6.1. Cấu trúc cơ bản
4.6.2. Đặc trưng cơ bản của các bộ khuếch đại dùng MOS
4.6.3. Mạch khuếch đại nguồn chung (CS)
4.6.4. Mạch khuếch đại nguồn chung (CS) có thêm điện trở nguồn RS
4.6.5. Mạch khuếch đại cổng chung (CG)
4.6.6. Mạch khuếch đại máng chung (CD) hay mạch lặp nguồn
4.6.7. Tổng kết về các bộ khuếch đại đơn tầng dùng MOSFET
GIẢI QUYẾT TÌNH HUỐNG DẪN NHẬP
TÓM LƯỢC CUỐI CHƯƠNG
CÂU HỎI ÔN TẬP
BÀI TẬP CUỐI CHƯƠNG