5.1. Cấu trúc vật lý, ký hiệu và nguyên lý hoạt động của BJT
5.1.1. Cấu trúc vật lý và ký hiệu của BJT
5.1.2. Hoạt động của transistor npn ở chế độ tích cực
5.1.3. Hoạt động của transistor npn ở chế độ tích cực ngược
5.1.4. Hoạt động ở chế độ bão hòa
5.1.5. Transistor pnp
5.2. Đặc tuyến dòng điện – điện áp (đặc tuyến V-A)
5.2.1. Ký hiệu và quy ước
5.2.2. Biểu diễn đồ thị các đặc tuyến của transistor
5.2.3. Sự phụ thuộc của iC vào điện áp colectơ – Hiệu ứng Early
5.2.4. Họ đặc tuyến Emitơ chung
5.2.5. Transistor đánh thủng
5.3. Các mạch phân cực một chiều cho mạch khuếch đại dùng BJT
5.3.1. Tổng quan về phân cực cho mạch khuếch đại dùng BJT
5.3.2. Xác định điểm làm việc tĩnh bằng cách phân tích đồ thị
5.3.3. Phân cực bằng dòng không đổi
5.3.4. Phân cực dùng hai nguồn cung cấp
5.3.5. Phân cực sử dụng một điện trở phản hồi Colectơ tới Bazơ
5.3.6. Phân cực sử dụng một nguồn dòng điện không đổi
5.4. BJT hoạt động ở chế độ khuếch đại
5.4.1. Dòng colectơ và hỗ dẫn
5.4.2. Dòng bazơ và trở kháng vào ở cực bazơ
5.4.3. Dòng emitơ và trở kháng vào ở cực emitơ
5.4.4. Hệ số khuếch đại điện áp
5.4.5. Phân tách tín hiệu và các đại lượng một chiều
5.4.6. Mô hình kết hợp dạng π
5.4.7. Mô hình dạng T
5.4.8. Ứng dụng của các mạch tương đương tín hiệu nhỏ
5.5. Các mạch khuếch đại BJT đơn tầng
5.5.1. Cấu trúc cơ bản
5.5.2. Đặc tính các bộ khuếch đại dùng BJT
5.5.3. Mạch khuếch đại emitơ chung (CE)
5.5.4. Mạch khuếch đại Emitơ chung có thêm điện trở emitơ
5.5.5. Mạch khuếch đại Bazơ chung (CB)
5.5.6. Mạch khuếch đại Colectơ chung (CC) hay mạch lặp emitơ
GIẢI QUYẾT TÌNH HUỐNG DẪN NHẬP
TÓM LƯỢC CUỐI BÀI
CÂU HỎI ÔN TẬP
BÀI TẬP CUỐI BÀI